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2016年半導(dǎo)體材料景氣上升,光刻膠市場規(guī)模可達(dá)13.9億美元

來源:林中祥膠粘劑技術(shù)信息網(wǎng)2016年07月12日

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  光刻膠制造商有理由在2015年底時(shí)展開笑容,因?yàn)榕c2014年它的銷售額13.7億美元相比增長6.2%。按TECHCET Group關(guān)鍵材料的最新報(bào)告, 2016年全球光刻膠及延伸材料及輔助物品的市場,此種趨勢會(huì)維持到2020年。總的光刻膠及延伸材料的數(shù)量繼續(xù)隨著投入硅片數(shù)量有些增長,但是可能在未來4年中在14億美元徘徊。硅片數(shù)量的增加部分補(bǔ)償在先進(jìn)工藝制程時(shí)光刻膠厚度的減少。

  實(shí)際上光刻材料的增長得益于采用先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的硅片在數(shù)量上增加。全球統(tǒng)計(jì)5年的年復(fù)合增長率,在45nm及以上硅片的投入數(shù)量減少2%,而28nm及以下硅片的數(shù)量增加10%。

  ArF(193nm波長)光刻膠占總市場的40%。而EUV光刻(13nm)仍預(yù)測要到2020年時(shí)才開始大量使用。

  由于在10nm節(jié)點(diǎn)時(shí)從成本及低產(chǎn)出量考慮,會(huì)采用mix-and-match混合光刻模式Nano-Implrint(NIL)光刻僅只有亞洲一家存儲(chǔ)器廠商使用。而193nm浸入式光刻仍是所有先進(jìn)工藝制程fab的首選。

  為了提高分辨率采用延伸(extension)材料,目前有底層采用抗反射涂層(BARC),及自旋硬掩模材料(HM),再結(jié)合它的頂層涂光刻膠,稱之為三層膠(TLR)方法。延伸材料也包括特殊的化學(xué)材料可用來去除光刻膠,以及通過添加材料在側(cè)壁來縮小孔,現(xiàn)階段延伸材料增長最快,2015年達(dá)6.50億美元,預(yù)測到2020年可達(dá)7.9億美元。

  光刻膠的輔助品,包括去膠劑,顯影液,邊緣氣泡去除劑(EBR),及特殊的溶劑,它的銷售額由今天的6億美元到2020年時(shí)為5.75億美元,主要由于光刻膠越來越薄,使用數(shù)量減少。其它輔助品通常由各地的供應(yīng)商自己解決,由于數(shù)量巨大,它的價(jià)格有壓力。

  全球光刻膠供應(yīng)商主要有6個(gè),占據(jù)90%市場,它包括11個(gè)能提供標(biāo)準(zhǔn),及先進(jìn)光刻膠原材料及關(guān)鍵輔助品的供應(yīng)商。日本JSR及TOK占據(jù)53%市場,其它均在12%及以下。TECHCET能提供相關(guān)的報(bào)告。

  本文是莫大康先生編譯

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