申請公布號：CN121160244A

申請人：深圳芯源新材料有限公司

摘要：本發(fā)明屬于電子封裝材料技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種抗遷移導(dǎo)電銀膠及其制備方法，所述抗遷移導(dǎo)電銀膠，按重量百分比計(jì)，包括以下組分：70%～90%的銀粉；6%～15%的樹脂基體；1.5%～5%的固化劑；2%～15%的稀釋劑；0.5%～3%的含硫硅烷偶聯(lián)劑。具有高效抗遷移：含硫硅烷偶聯(lián)劑通過其巰基與銀形成強(qiáng)化學(xué)鍵，并通過水解縮合形成疏水膜，實(shí)現(xiàn)了對銀遷移的雙重抑制機(jī)制；性能優(yōu)異：提高了其在高溫高濕環(huán)境下的電化學(xué)遷移失效壽命；工藝簡單，成本低廉：在現(xiàn)有導(dǎo)電銀膠配方基礎(chǔ)上添加含硫硅烷偶聯(lián)劑，無需復(fù)雜的預(yù)處理或合成步驟，適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)，且未引入鈀等貴金屬，成本優(yōu)勢明顯；兼容性好。